always块中时序逻辑 negedge rst_n和posedge rst实际电路
对于时序逻辑中的negedge rst_n和posedge rst复位,实际的电路是什么样呢?实际上由于不同的工艺库下不一定有直接对应DFF,所以很可能就是一个DFF+复位通路上一个INV组成。根据不同的复位信号和复位值的组合有以下4中情况:
1.低复位,复位值为0
2.低复位,复位值为1
3.高复位,复位值为0
4.高复位,复位值为1
我们以TSMC 7NM工艺库为例,由于该库中只存在以下两种stdcell
SDFSYNC1RPQD1xxxxxVT :高复位,复位值为0
SDFSYNC1SNQD1xxxxxVT:低复位,复位值为1
可参考:
tsmc 7nm工艺下用做syncCell的stdCell介绍_cy413026的博客-CSDN博客
所以对于下面的4个dff,只有b_0和a_1可以直接map到stdCell
而对于a_0和b_1,最终结果如下:
SDFSYNC1RPQD1xxxxxULVT UI_sync(.D(d), .SI(1'b0), .SE(1'b0), .CP(clk), .CD(~rst_n), .Q(a_0));
SDFSYNC1SNQD1xxxxxULVT UI_sync(.D(d), .SI(1'b0), .SE(1'b0), .CP(CLK), .SDN(~rst), .Q(b_1));
即在选择cell类型时以复位值为参考,复位信号极性不满足时,取反。
always @(posedge clk or negedge rst_n) begin
if (rst_n == 1'd0) begin
a_0 <= 1'd0;
a_1 <= 1'd1;
end
else begin
a_0 <= xxx;
a_1 <= xxx;
end
end
always @(posedge clk or posedge rst) begin
if (rst_n == 1'd0) begin
b_0 <= 1'd0;
b_1 <= 1'd1;
end
else begin
b_0 <= xxx;
b_1 <= xxx;
end
end
通过综合发现SDF前复位信号进入CD/SDN的取反都是用的普通INV cell,所以对于复位信号来说普通取反问题不大,但是这些取反只是在SDF之前的,如果是在RST Tree上最好还是用专用的INV cell,这样可以保证transition更快。